领先三星，SK海力士开发首款第六代10纳米DRAM芯片

SK海力士表示，该公司已开发出第六代10纳米 (1c) 16Gb DDR5 DRAM。根据韩媒The Elec报道，该公司成为第一家做到这点的内存制造商，领先国内竞争对手三星。

报道称，三星和SK海力士竞争进度不相上下，三星今年5月成为第一家开始制造第5代10纳米 (1b) DDR5 DRAM厂商，比SK海力士早十天。

SK海力士表示，将于明年开始供应最新DRAM。该内存芯片是通过扩展先前的1b平台而开发的1c。

SK海力士指出，它为某些极紫外线（EUV）制程开发新材料，并将生产力比前一代提高30%。1c DDR5速度为8Gbps，比1b快11%，电源效率也提升9%。