SK海力士推出1c制程DARM，可使数据中心节电30%

韩国内存大厂SK海力士宣布，成功开发全球首款第六代10纳米级（1c）制程16Gb DDR5 DRAM，还展示10纳米等级超微细化存储技术。

SK海力士强调，10纳米级DRAM时代传承，微细难度也增加，但以获业界最高性能认可的第五代（1b）为基础，提高设计完成度，率先突破极限。今年会完成1c制程DDR5 DRAM量产准备，2025年开始供应产品，引领内存市场。

SK海力士以1b制程DRAM平台扩展开发1c制程。SK海力士技术团队认为，不仅减少制程高度精细化可能的错误，还有将业界最高性能DRAM的1b制程优势转至1c制程。

SK海力士部分EUV制程开发新材料，优化EUV适用制程，确保成本竞争力。1c制程也革新设计，较前代1b生产率提高30%以上。

1c制程DDR5 DRAM主要用于高性能数据中心，执行速度为8Gbps，与前代比速度提高11%，能效也提高9%。AI时代，数据中心耗电量持续增加，如云计算服务商客户将SK海力士1c DRAM用于数据中心，电费最高能减少30%。