三星：2027年2纳米导入晶背供电，芯片尺寸缩17%

三星电子（Samsung Electronics Co.）芯片代工高层透露，最新2纳米制程技术可将芯片尺寸缩小17%。

《韩国经济日报》22日报道，三星芯片代工制程设计组件（PDK）研发团队副总裁Lee Sungjae在《Siemens EDA Forum 2024》的主题演说中指出，三星采用的最新“背面电轨”（BSPDN，又称“晶背供电”）芯片制造技术，可让2纳米芯片的尺寸比传统前端（front-end）配电网络（PDN）技术缩小17%。

Sungjae指出，三星预定2027年量产2纳米芯片时采用BSPDN技术，该科技还可将性能、功率分别提升8%、15%。这是三星芯片代工业务首度有高层向大众披露BSPDN细节。

BSPDN被称为次世代芯片代工技术，主要是将电轨置于硅芯片背面，进而排除电与信号线的瓶颈，进而缩小芯片尺寸。

相较之下，英特尔（Intel Corp.）预计今年就会在相当于2纳米的Intel 20A制程采用BSPDN技术，该公司将之称为“PowerVia”。台积电则计划于2026年底左右，对1.6纳米以下制程导入BSPDN技术。

另一方面，Lee还公布次世代GAA制程的产品路线图及芯片性能。三星计划今年下半量产基于第二代“环绕式闸极”（gate-all-around，GAA）制程技术（SF3）的3纳米芯片，接下来的2纳米也会采用GAA制程。Lee指出，跟第一代GAA制程相比，SF3可分别将芯片性能、功率提升30%、50%，芯片尺寸缩小35%。

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