SK海力士加速HBM4E研发拼2026量产，比原定早一年

SK海力士（SK hynix）最新一代内存产品HBM4E酝酿中，2026年有望量产，比原先预估的进程提早约一年。

韩媒《The Elec》报道，在生成式AI商机推动下，AI服务器需求爆发，HBM成为抢手货。率先量产HBM3E（第五代HBM）的SK海力士稳坐“HBM一哥”，目前正加速研发HBM4E脚步，试图甩开三星、美光等来势汹汹的后进对手。

SK海力士先前已经公布的计划，是2027年量产HBM4E（第七代HBM）。不过，SK海力士先进HBM技术团队主管Kwi Wook Kim 5月13日在首尔出席公开活动时表示，随着技术进步，HBM产品更新换代的周期，已从两年缩短至一年，目前预估HBM4E量产时点落在2026年，届时将成为新的市场标配。

HBM4E是SK海力士首款采用第六代10纳米级1c DRAM堆栈的产品。

SK海力士稳居HBM市场霸主，为NVIDIA HBM主力供应商。2023年8月，SK海力士成功开发出全球首款HBM3E内存，应用在NVIDIA 2024年第二季出货的新一代AI芯片H200，带动股价拉出一波急涨。

2024年截至5月13日，SK海力士股价累积大涨29.89%。