力积电传拟和日本创业公司企业合作，目标量产MRAM

台湾芯片代工大厂力积电（PSMC）传出将和日本创业公司企业合作，目标在2029年量产磁阻式随机访问内存（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory），将利用力积电计划在日本兴建的芯片厂第2期工程产线进行量产。

日经新闻4日报道，力积电将在2024年上半年和发源于日本东北大学、从事半导体技术研发的创业公司企业“Power Spin”进行合作，目标量产MRAM。据报道，东北大学常年来持续研究MRAM，而Power Spin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI用数据中心。

报道指出，力积电携手日本网络金融巨头SBI Holdings，计划在日本宫城县兴建芯片厂，而该芯片厂将分为2期工程，第1期工程目标2027年投产、第2期工程目标2029年投产，而力积电预计将利用第2期工程产线，于2029年量产MRAM。

据报道，理论上来说，MRAM耗电力可压低至现行内存（DRAM、NAND Flash）的百分之一，且写入速度快、即便切断电源数据也不会消失，不过除了制造成本高之外，和现行内存相比，耐久性、可靠性等问题仍需克服，而力积电计划借由量产压低MRAM成本。

据报道，美国半导体大厂Everspin Technologies已量产MARM产品，而Power Spin首席技术官远藤哲郎（东北大学教授）指出，2022年MRAM市场规模达300亿日元。

力积电、SBI 2023年10月31日宣布，双方计划在日本兴建的首座芯片厂确定将落脚宫城县、已选定宫城县黑川区大衡村的第二北仙台中央工业园区为预定厂址。上述芯片厂将分为2期工程，第1期工程目标2027年投产、以12英寸硅芯片换算的月产能为1万片，将生产40nm、55nm芯片，第2期工程预计2029年投产，除上述40nm、55nm产品之外，也将生产28nm以及活用WoW（Wafer-on-Wafer）技术的芯片，届时工厂满负荷生产时、月产能将达4万片。