先进封装大战开打！三星2024年推3D AI芯片封装“SAINT”

“SANIT”品牌将推出SAINT S、SAINT D及SAINT L三种技术台积电SoIC 、英特尔Fooveros，联电W2W 3D IC齐出击



随着半导体组件微缩制程逼近物理极限，允许将多个组件整合封装成为单一电子组件，进而提升半导体性能的先进封装技术便成为全新兵家必争之地。对此，台积电（TSMC）、三星（Samsung）和英特尔（Intel）等制造大厂展开了激烈的竞争。率先推出3Dfabric先进封装平台的台积电取得绝对领先的地位。为了迎头赶上，三星计划明年推出“SAINT”先进3D芯片封装技术。

ChatGPT等生成式AI应用带动，市场殷切需要能快速处理大量数据的半导体，先进封装技术因此迅速发展。调研机构Yole Intelligence数据显示，全球先进芯片封装市场从2022年443亿美元增长到2027年660亿美元。660亿美元，3D封装预计将占约25%（也即150亿美元市场规模），如此惊人数字，自然带动立体封装发展盛况。

三星2021年推出2.5D封装技术“H-Cube”后，便一直加速芯片封装技术的开发，4月表示提供封装统包服务（package turnkey service），处理从芯片生产到封测整个过程。

业界先进封装主流是2.5D封装，全球第一代芯片代工厂台积电凭有十年历史的2.5D封装，持续在全球2.5D到3D先进封装市场占据领先地位。身为全球第二大芯片代工厂的三星无法坐视长期落后局面，计划推出3D封装技术SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星先进互联技术），能以更小尺寸的封装，将AI芯片等高性能芯片内存和处理器集成。

知情人士12日表示，三星计划“SANIT”品牌推出三种技术：垂直堆栈SRAM和CPU的“SAINT S”、CPU、GPU等处理器和DRAM内存垂直封装的“SAINT D”、应用处理器（AP）堆栈的“SAINT L”。

“SAINT S”等新技术已通过验证测试，但消息人士指出，三星与客户完成进一步测试后明年推出商用服务，目标是通过SAINT新技术，提高数据中心AI芯片及内置AI功能手机应用处理器的性能。

反观业界其他领导制造企业的3D封装发展状况，台积电正大手笔斥资测试和升级自家3D芯片间堆栈技术“SoIC”，以满足苹果和Nvidia等客户需求。台积电7月表示，投资新台币900亿元（约29亿美元）台湾新建先进封装厂。至于英特尔，开始使用自家新一代3D芯片封装技术“Fooveros”制造先进芯片。

本月稍早，世界第三大芯片代工厂联华电子（UMC）推出芯片对芯片（Wafer-to-Wafer，W2W）3D IC项目，利用硅堆栈技术提供高效集成内存和处理器的尖端解决方案。

联华电子表示，W2W 3D IC项目雄心勃勃与日月光、华邦、智原科技（Faraday）和益华计算机（Cadence Design Systems）等先进封装厂及服务公司合作，以便充分利用3D芯片集成技术满足边缘AI应用的特定需求。