三星宣布2024下半年量产二代3纳米及强化版4纳米

外媒报道，韩国三星告诉投资者，2024下半年将使用第二代3纳米 (SF3) 制程，与性能增强版4纳米 (SF4X) 生产芯片，两个新制程将显著提高三星竞争力，并争取代工大客户新产品。

由于行动需求反弹，加上高性能计算 (HPC) 市场持续增长，将反转迈向增长，2024下半年将量产第二代3纳米，以及HPC第四代4纳米增强竞争力。

三星第二代3纳米 (SF3) 制程是首代3纳米 (SF3E) 重大升级，目前仅制造挖矿小型芯片，但三星说第二代3纳米可同单元类型用不同环栅 (GAA) 晶体管纳米片信道宽度，提供更多功能。

尽管三星没有直接比较两代3纳米差异，但第二代比第二代4纳米（4LPP）进步更多。相同功率和复杂性，执行性能提高22%，或相同时脉和晶体管数量，功耗降低34%；芯片面积减少21%。尽管第二代3纳米2024下半年量产，但是比首代更好的复杂设计选择。



三星4纳米不断发展，准备推出强化版4纳米 (SF4X)，为数据中心高性能CPU和GPU定制化，是近年第一个专为高性能计算（HPC）设计的制程。

强化版4纳米有望性能提高10%，功耗降低23%。三星也未透露比较基准，但很可能参考标准4纳米制程流程，增强版重新设计晶体管源极和汲极区域、重新评估潜在高应力条件下性能、应用先进晶体管级设计技术协同优化 (T-DTCO)。

三星希望借完善MOL架构，使强化版4纳米完成60mV的CPU硅验证最低工作电压 (Vmin)，将断态电流 (IDDQ) 变异性降低10%，确保稳定高电压 (Vdd) 运行以上1V且不会影响性能，并提高SRAM制程度。