抢攻电动汽车需求，Resonac SiC磊晶芯片传扩产至5倍

抢攻电动汽车（EV）需求，日商Resonac（旧称昭和电工）传出将大幅增产使用于碳化硅（SiC）功率半导体的“SiC磊晶芯片（Epitaxial Wafer）”，拟扩产至现行的5倍。

日经新闻15日报道，Resonac将大幅增产使用于SiC功率半导体的“SiC磊晶芯片”，目标在2026年将其月产量扩张至约5万片（以6英寸换算）、将达现行的约5倍水准，借此积极抢攻EV需求。

据报道，Resonac为全球SiC磊晶芯片大厂、市场占有率达25%，而Resonac计划在2025年将包含SiC磊晶芯片在内的半导体相关业务营收规模提高至5,500亿日元以上、将较2021年（3,600亿日元）增加5成以上。

报道指出，和现行主流的硅（Si）制功率半导体相比，SiC功率半导体价格虽达数倍、不过电力耗损可减少5%以上，将有助于提升EV的续航距离，而SiC磊晶芯片为左右SiC功率半导体性能的关键材料。

Resonac指出，该公司为全球最大SiC磊晶芯片外售厂商。

Resonac目前已和东芝子公司“东芝电子组件及存储设备（ToshibaElectronic Devices & Storage）”、Rohm、Infineon等多家厂商签订SiC磊晶芯片的长期供应契约。

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